三星将推出224层闪存 性能还会提升30%最快今年底量产

在3D闪存方面，三星之前一直是领先的，不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存，要想追赶回来，三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存，性能还会提升30%。

三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代，最高176层，原本计划在去年底量产，但因为NAND闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年Q1季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。

不过三星在下一代闪存上有望追回来，最快今年底明年初推出第八代V-NAND闪存，堆栈层数首次超过200层，之前传闻是228层，现在的说法是224层，相当于在128层基础上再堆栈96层。

消息称，三星的224层闪存性能也很不错，数据速度提升了30%，同时生产效率也提高了30%。

此外，三星的224层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司，这次的224层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。