三星提升QLC闪存性能 写入可达320MB/s预计在明年上市

随着闪存的发展，如今廉价、大容量的SSD几乎都要上QLC闪存了，这让消费者很不爽，因为QLC闪存不仅可靠性差，而且性能也慢很多，没有缓存加速的时候，性能甚至跑不过HDD机械硬盘。

QLC闪存性能差是先天性的，如果用光了缓存容量空间，现在的QLC闪存真实写入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬盘之前有人实测过，拷贝文件的速度也就160MB/s，这个速度甚至还不如一些HDD机械盘快。

三星也注意到这个问题了，未来也会重点关注QLC闪存的性能，目前他们使用的QLC闪存主要还是96层堆栈的V5 QLC，明年会跳过V6 QLC，直接进入176层的V6 QLC闪存时代。

根据三星所说，新一代QLC闪存性能好得多，写入速度2.7倍、读取速度也有2.6倍，不过这是针对V4 QLC闪存的，相比现在的V5 QLC大概能提升一倍，意味着写入性能可提升到320MB/s。

不考虑缓存加速，320MB/s的原始写入性能已经相当可观了，足以让SSD性能重新超过HDD硬盘，并且跟TLC闪存一较高下，相关产品预计在明年上市。