三星将推出第八代V-NAND闪存 堆栈层数超过200层

作为全球NAND闪存市场的一哥，三星在3D闪存上又要领先其他厂商了，日前在三星技术论坛上，三星公布了第八代V-NAND的细节，堆栈层数超过200层，容量可达1Tbit，512GB容量的厚度也只有0.8mm，可用于手机。

三星的V-NAND闪存现在演员发展到了第七代V-NAND V7，堆栈层数176层，TLC版核心容量512Gbit，而即将推出的V-NAND V8层数将超过200——三星没提到具体多少层，但之前的报道中指出是228层，提升30%左右，存储密度提升了40%左右。

V-NAND V8闪存的单颗核心容量也从之前的512Gbit翻倍到了1Tbit，同时性能也更强，IO接口速率从2Gbps提升到了2.4Gbps，性能更适配最新的PCIe 5.0标准。

得益于存储容量更大. V-NAND V8闪存的厚度依然可以控制在合理水平，封装512GB容量也不超过0.8mm，可以用于新一代智能手机。

在未来，三星的V-NAND闪存堆栈层数还会进一步提升，路线图中的目标是超过500层，这被视为3D闪存的极限，不过三星还在想法突破，最终能制造1000层堆栈的3D闪存。