西数发布新一代UFS 3.1闪存 写入速度可达1550MB/s

西数日前发布了新一代UFS 3.1闪存——iNAND MC EU551系列，主要针对最新的5G手机，最大容量512GB，写入速度可达1550MB/s。

IDC预计2021年5G手机将占全球出货量的40%，2025年进一步提升到69%的比例，随着网络速度的提升，5G手机对存储容量、性能的要求也会提高，特别是VR/AR、游戏及8K视频等应用的普及。

西数推出的iNAND MC EU551是他们的第二代UFS 3.1闪存，采用了最新的闪存，专为5G旗舰手机、平板设计，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支持Write Booster 和 Host Performance Booster 2.0，写入速度可达1550MB/s，性能与桌面NVMe硬盘有得一拼了。

容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三种，预计今年7月份开始上市，下半年的5G旗舰有望搭载，不过售价没公布。